All Product

4"蒸鍍外觀

4"蒸鍍外觀

晶背減薄
矽晶圓(SI)減薄至50µm
矽基氮化鎵(GaN ON SI)減薄至75µm
碳化矽(SiC)減薄至150µm
晶片平坦度 ≤ 10µm

金屬蒸鍍沉積
蒸鍍金屬包含:鈦,鎳,銀,錫,銅,鋁
金屬厚度可達35µm
厚度均勻性: ±10%
DETAIL

產品介紹

微鑫電子團隊熟悉前中後段製程的整合與分析,涵蓋前段晶圓代工廠、晶圓薄化廠、後段封裝廠,能協助客戶快速開發、解決問題並穩定量產,提供完整可靠的半導體晶圓服務。

服務與規格

產品/服務 說明
Wafer Size 4"、5"、6"、8"、12"
晶背減薄 矽晶圓(Si)減薄至 50µm
矽基氮化鎵(GaN on Si)減薄至 75µm
碳化矽(SiC)減薄至 150µm
晶片平坦度 ≤ 10µm
金屬蒸鍍沉積 蒸鍍金屬包含:鈦、鎳、銀、錫、銅、鋁
金屬厚度可達 35µm
厚度均勻性:±10%

我們的優勢

  • 高規格生產設備 ─ 配備全自動研磨機與真空鍍膜機台,確保穩定良率。
  • 經驗豐富的技術團隊 ─ 超過 18 年研磨與蒸鍍技術,累積逾 400 萬片晶圓實戰經驗。
  • 快速交期與彈性生產 ─ 小量樣品、快速試產、穩定量產。
  • 嚴謹品質把關 ─ 符合 ISO 9001、IATF 16949 國際認證。

微鑫電子持續提升製程技術與良率,能依客戶需求彈性提供客製化服務,協助產業實現高效率、高品質與穩定量產目標,成為半導體產業值得信賴的合作夥伴。